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标题: 内存条的封装形式 [打印本页]

作者: 家电维修 时间: 2012-5-13 20:13
标题: 内存条的封装形式
最佳答案：从DIP封装到BGA封装芯片的封装技术已经历经好几代的变迁，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等，都是看得见的变化。20世纪70年代时，芯片封装流行的还是双列直插封装，简称DIP(Dual ln-line Package)。DIP封装在当时具有适合PCB（印刷电路板）的穿孔安装。比TO型封装易于对PCB布线以及操作较为方便等一些特点。
采用TSOP封装技术的芯片
到了80年代出现的内存第二代封装技术以TSOP为代表，它很快为业界所普遍采用，到目前为止还保持着内存封装的主流地位。TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，意即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，如SDRAM内存的集成电路两侧都有引脚，SGRAM内存的集成电路四面都有引脚。TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印刷电路板）上安装布线。TSOP封装时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。
20世纪90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，芯片集成度不断提高，I / O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为满足发展的需要，在原有封装方式的基础上，又增添了新的方式——球栅阵列封装，简称BGA（Ball Grid Array Package）。BGA 封装技术有这样一些特点：I / O引脚数虽然增多，但引脚间距并不小，从而提高了组装成品率。虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能。厚度和重量都较以前的封装技术有所减少。寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高。组装可用共面焊接，可靠性高。采用BGA新技术封装的内存，可以使所有计算机中的DRAM内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一。另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。不过BGA封装仍然存在着占用基板面积较大的问题。

CSP新一代的内存封装技术
在BGA技术开始推广的同时，另外一种从BGA发展来的CSP封装技术正在逐渐展现它生力军本色。
CSP，全称为Chip Scale Package，即芯片级封装的意思。作为新一代的芯片封装技术，在BGA、TSOP的基础上，CSP的性能又有了很大的提升。
CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了内存芯片在长时间运行时的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。
不少国际DRAM大厂商都表示，虽然目前DDR266或DDR200很多还采用TSOP封装技术，但自DDR333开始，如再使用传统SDRAM的TSOP封装的话，在量产良品率上势必会出现极大问题，因此如需将规格向上提高到DDR333，则需将封装方式改用为CSP封装才有机会。据了解，目前DRAM颗粒厂如采用0.175微米工艺来制造DDR333颗粒，良品率上最多仅能达到20%(原因在于0.175微米工艺是用来制造DDR266)，但如将工艺提升至0.15微米甚至0.13微米，用来制造DDR333颗粒，其良品率将可高达70%～80%。对于DRAM颗粒厂商而言，在制造一颗DDR266与DDR333时所耗费成本几乎是相差不大，因此使用CSP封装的高性能内存是大势所趋。
CSP的SDRAM模块，应用了倒装焊技术，与相同的模块空间TSOP封装比，它可以很容易地将内存容量增加为四倍以上。CSP的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当的提高。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显地要比TSOP、BGA引脚数多得多（TSOP最多304根，BGA以600根为限，CSP原则上制造1000根都不难），这样它可支持I/O端口的数就增加了很多。

此外， CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。而传统的TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热就相对困难。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。测试结果显示，运用Micro-CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量高达88.4%，而TSOP内存中传导到PCB板上的热量为71.3%。另外由于CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的电功率消耗，致使芯片耗电量和工作温度相对降低。

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