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电磁炉

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1#
发表于 2008-9-1 10:12:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
华为代理商

请问电磁炉中的电子元件IGBT请什么作用的。能否给个说明。谢谢!我这里有一个IGBT上的规格是FB F44 FGA25N120 ANTO ,能否告知是什么意思,量IGBT E G C三个点都通《正确么》,请各位大侠指教!

 

 

 

 

 

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2#
发表于 2008-9-1 10:45:48 | 只看该作者
华为代理商

    绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
    目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。

  IGBT的特点:
1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。
IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。
 
  IGBT是检测:
用万用表二极管档测量IGBT的“E”;“C”;“G”三极间是否击穿。
A:“E”极与“G”极;“C”极与“G”极,正反测试均不导通(正常)。
B:万用表红笔接”E“极,黑笔接“C”极有0.4V左右的电压降(型号为GT40T101三极全不通)。


楼主所述的型号应该是:FGA25N120 您可到电子市场购到相应的型号。
3#
 楼主| 发表于 2008-9-1 15:36:53 | 只看该作者
华为代理商

求助

请问在天津哪里能买到IGBT,可否告诉那里有电子商城。谢谢!
4#
发表于 2008-9-19 10:40:49 | 只看该作者
华为代理商
很多吧
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